パワー半導体モジュールの接合工程において、独自の3Dプレス方式により、チップと基板をシンタリング接合する装置です。従来のはんだ材に代わる新しい接合技術で、独自の特殊弾性体を用いた立体的な加圧を実現します。高さが異なるチップや基板を均一に一括接合できるため、従来の平面で加圧する方式と比べて、効率的かつ高品質なモジュールの製造が可能です。

アプリケーション

●SiCパワーモジュールの接合

特徴

●特殊ゲル状加圧媒体を用いた立体的な均一加圧
●チップ下だけでなく、フィレット部も含めた均一加圧　※下図参照
●基板やチップ種別毎の金型不要のため、ランニングコストを削減


3Dシンタリング

デモンストレ－ションのご案内

当社東村山製作所にデモンストレーション装置を設置し、お客様のサンプル試験加工を実施しております。お気軽にお申し付けください。